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对于这些科研人员的问题，韩元其实是理解的。

正如他昨天晚上想如何去进行缩小碳化硅晶材制备集成芯片一样。

一个合格的科学家，会永远保持对知识的好奇心。

这是人类进步的主要源泉。

但他不可能花费大量的时间去讲解这些东西，涉及到微观层面的知识实在是太过复杂。

如果要板书出来，一本教材都不一定能搞定，那耗费的时间也太长了。

唯一的方法，就是让这些人去看自己的直播视频了。

进入化学实验室，韩元将昨天制备好的碳化硅晶材取出来，又将其他材料准备好后，道：

“昨天我已经将碳化硅晶体管中的n-漂移层处理完成。”

“剩下的就是处理p阱、栅和漏三极了。”

“相对比集成芯片来说，晶体管的这些东西制作起来简单多了。”

“.......”

大致的说了一下今天的工作安排后，韩元也开始了处理手中材料。

制造碳化硅晶体管p阱他使用的是一块低掺杂的p型硅。

所谓的p型硅其实就是在制备过程中掺杂了一些硼的硅晶。

通过掺杂硼元素，在制造过程能在硅晶中产生的空穴。

掺杂的硼越多，导电能力也就越强，电阻率就越低。

这个就是npn和pnp晶体管中的p极。

至于这样材料，在一级任务中他并没有准备，毕竟当时谁能想到在二级任务中需要制造类似于芯片的晶体管呢？

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