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负性光刻胶在硅基芯片中又被称为‘光致抗蚀剂’。

这种材料涂抹在晶圆上后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得单晶硅晶圆的物理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。

从而在后续的显影过程中能保留这些区域。

所以负性光刻胶是制造高精度集成芯片用的一种主要光刻胶。

而因为石墨烯单晶这种材料的特性，导致它在面对正性光刻胶的时候，曝光区域并不会被轻易蚀刻，所以只能想办法加固曝光区域,然后再来进行后续的显影处理。

硅基芯片的负性光刻胶的主要成分是感光树脂、增感剂和溶剂组构成的。

碳基芯片也一样，同样是有这三种主要成分构成。

其中感光树脂并没有多大变化，而增感剂和溶剂组都有相当大的改动。

毕竟你不可能拿着适用于硅基芯片的增感剂和溶剂组去处理碳基芯片。

单晶硅和石墨烯的性质可完全不同。

除此之外，石墨烯单晶晶圆和单晶硅晶圆这两种材料的光学特性也不同。

石墨烯这种材料具有非常良好的光学特性，在较宽波长范围内吸收率约为2.3%，而且在固定的层数内,厚度每增加一层，吸收率增加2.3%。

这也导致了它对于光感程度非常敏感,当入射光的强度超过某一临界值时,石墨烯对其的吸收会达到饱和。

因此石墨烯晶圆虽然同样是用光刻机加工，但曝光过程和碳基芯片有所不同。

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