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王岸然很清楚，光刻机想在短时间取得突破，可能性几乎为零。

浸入式光刻机技术也是渺茫，双工台的难度等级甚至比光刻机还要难。

可以预见的是，依靠先进设备提升工艺几乎不可能。

王岸然现在要做的，就是在现有的设备条件下，如何提升制造工艺。

这并不是不可能的，多重曝光，对准双重成像技术SADP都能有效的提升工艺水平。

当然王岸然的目标不仅仅如此，FinFET技术只是开始，既然在单面积平面上集成的晶体管数量无法达到世界行业水平，那么只能在空间上想想办法。

晶体管的空间堆叠就是方向之一，也就是俗称的3D晶体管。

在普通人眼中，3D晶体管是非常高大上的技术，事实上这项技术也是非常高大上。

简单来说，3D晶体管就是搭积木一样，将氧化层、半导体层、金属层一层一层的堆叠，形成各种逻辑电路。

在实际操作中就是在已经蚀刻好的晶体管电路上涂上保护层，然后用物理气相沉积法，或者其他物理化学处理办法。

在保护层上，再沉积一层材料，对沉积的材料进行光刻、蚀刻、清洗等工序，完成后再重复这样的过程。

由于工序的显著增多，加上上下层之间的电路很多是相通的，这就引来两大技术难点。

其一就是每一道工序都有一定的概率出现误差，叠加之后，误差会有显著的放大效应，直接结果就是良品率急剧下降。

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