微电子系接下来两个课题。

其一，把光刻精度从现在的100纳米提高到80纳米，并试着增加光刻规模。

光刻精度提升之后，晶体管会变得更小，相同数量的晶体管耗电量也会下降，现在的图形控制芯片耗电量为42瓦，单纯提高精度至80纳米，不调整构架，保持相同数量晶体管时，最优解功耗会降低至27瓦。

精度提高之后才轮到规模，每次精度的提升都是换代，为了保证良品率，规模都要重新从小的做起。

晶圆产业的良品率和常规零部件的意义不那么相同，比如现在中原地区普及的10微米精度的零件，一百个都不一定有个次品。

芯片就完全是另一回事，硅的纯度做不到百分之百，越接近边缘杂质会越多。杂质少芯片功耗会上升，勉强还能用，只是偶尔会莫名其妙的烧毁，稍微多那么几万分之一杂质或瑕疵，就会导致芯片变成废品。

所以单芯片规模（面积）增大，碰到晶圆瑕疵的概率也跟着变大，就会导致良品率降低，无脑提升规模的结果，会把生产变成一个从废品里找良品的游戏。

大学下一阶段的目标，是在精度换代之后，把芯片规模由现在的100平方毫米提高到144平方毫米，并试图保证良品率，精度和规模两项提升加在一起，足以让晶体管翻倍还有一点余量，达成全面替代微型玄学图形芯片的目的，生产成本也不会高太多。如果啥时候晶圆制备尺寸、纯度再升个级，成本会比现在还低。

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